众所周知，靶材材料的技术发展趋势与下游应用 产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。如Ic制造商．近段时间致力于低电阻率铜布线的开发， 预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜，这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外，近 年来平面显示器（F P D）大幅度取代原 以阴极射线管（CRT）为主的电脑显示器及电视机市场．亦将大幅增 加ITO靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面。高密度、大容量硬盘，高密度的可擦写光盘的需求持 续增加． 这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。下面我们将分别介绍靶材的主要应用领域，以及这些领域靶材发展的趋势。 在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF ~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的 T b F e C o合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光 盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特 点。如今开发出来的磁光盘，具有 T b F e C o / T a和 T b F e C o / Al 的 层复合膜结构， T bF eCo/AI结构的Kerr 旋转角达到5 8，而T b F e Co f F a 则可以接近0.8。经过研究发现， 低磁导率的靶材高交流局部放电电压 l 抗电强度。
基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元。降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。（ 锆粉厂家 ）
